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삼성전자, ASML 주도 ‘대형 마스크 컨소시엄’ 합류…12인치 포토 마스크 개발 속도
  • 김창식 기자
  • 등록 2026-09-08 17:07:28

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  • 차세대 12인치 포토 마스크 전환으로 반도체 생산성 및 비용 효율 극대화
  • 2028년 메모리 제조에 High NA EUV 도입 목표로 ASML과 협력 강화

삼성전자가 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여하며 차세대 12인치 포토 마스크 공동 개발에 나선다.

 

삼성전자가 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML이 주도하는 `대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)`에 참여하며 차세대 12인치 포토 마스크 공동 개발에 나선다.

이 컨소시엄은 기존 6인치 포토 마스크를 12인치로 전환하기 위해 결성된 협의체다. 참여 기업들은 글로벌 기술 동향을 공유하고 공동 연구 및 표준 개발을 통해 12인치 포토 마스크 상용화를 추진할 계획이다.

 

포토 마스크는 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 틀로, 노광설비에서 빛을 이용해 웨이퍼에 패턴을 전사하는 필수 도구다. 이 마스크의 정밀도는 반도체 성능과 수율을 결정짓는 핵심 요소다.

 

반도체 업계는 그간 6인치 마스크를 사용해 왔으나, 최신 High NA EUV 장비 도입에 맞춰 12인치로의 전환이 요구되고 있다. 12인치 마스크를 활용하면 기존에 마스크를 나누어 새기고 연결해야 했던 스티칭(stitching) 제약을 해소할 수 있다.

 

이와 관련해 12인치 마스크 전환은 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 절감하는 효과를 가져온다. 특히 수백억 개의 트랜지스터를 배치하는 첨단 반도체 설계 단계에서 High NA EUV 설비의 이점을 극대화할 수 있다.

 

삼성전자는 메모리와 파운드리 분야에서 쌓아온 EUV 기술 리더십을 바탕으로 이번 전환 과정에서 핵심적인 역할을 수행할 것으로 보인다.

 

이 날 삼성전자는 ASML과 협력해 2028년 업계 최초로 메모리 제조 공정에 High NA EUV를 도입하겠다는 계획도 밝혔다. 이번 협력은 High NA 기술이 첨단 메모리 제조에 본격 적용될 준비를 마쳤음을 의미한다.

 

양사는 더욱 정밀한 패터닝 기술을 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하고 공정 단순화와 생산성 제고를 동시에 실현할 방침이다. 또한 AI 반도체 제조에 필수적인 성능과 효율 확보를 위한 기술 개발을 앞당길 예정이다.

 

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 `AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다`고 말했다.

 

이어 전 부회장은 `삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘Next AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것`이라고 덧붙였다.

 

크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML CEO는 `삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다`고 언급했다.

 

아울러 푸케 CEO는 `AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이하여 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다`고 밝혔다.

 

삼성전자와 ASML은 이번 협력을 통해 기술 혁신을 향한 공동 의지를 확인했으며, 향후에도 첨단 메모리 및 혁신적인 제조 방식 등에서 협력 기회를 지속적으로 모색할 방침이다.

 

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