인피니언의 실리콘 카바이드 전력 반도체, 토요타의 신규 모델 `bZ4X`에 채택

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 CoolSiC™ MOSFET(실리콘 카바이드 전력 MOSFET)이 토요타의 신규 bZ4X 모델에 채택됐다고 밝혔다. SiC MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 컨버터에 적용되며 낮은 손실, 높은 열저항, 고전압 특성 등 SiC 소재의 장점을 통해 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여한다.

인피니언의 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장인 피터 셰퍼(Peter Schaefer)는 “세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 인피니언의 CoolSiC™ 기술을 선택한 것을 매우 자랑스럽게 생각한다. 실리콘 카바이드는 전기차의 주행 거리, 효율, 성능을 향상시켜, 미래 모빌리티에 매우 중요한 역할을 한다. 인피니언은 지속적인 혁신과 무결점(zero-defect) 품질에 대한 헌신과 노력을 바탕으로 전동화 분야에서 증가하는 전력 반도체 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 입지를 갖추고 있다”고 말했다.

인피니언의 CoolSiC™ MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 통해 온 저항과 칩 크기를 줄여 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 감소시켜 자동차 전력 시스템의 효율을 향상시킨다. 또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 해, 전기 구동계의 구동 회로를 단순화하고 OBC 및 DC/DC 컨버터의 고집적·고신뢰 설계를 지원한다.